Keywords: Bulk single crystal, Bridgman method, Hall and Van der Pauw method, Thermoelectric properties, Doping. Кључне речи: Масивни монокристал, Бриџман метода, Холова и Ван дер Паува метода, термоелектрична својства, допирање. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/legalcode eng application/pdf 893148 bytes https://unilib.phaidrabg.rs/o:3914 doi:10.2298/SOS231017056P cobiss:136721673 ISSN: 1820-7413 Science of Sintering [Elektronski izvor] vol. 56 br. 00 str. 1-15 info:eu-repo/semantics/article Investigation of Bi2Te2.88Se0.12 bulk single crystal produced using Bridgman method 2024 Požega, Emina Simonović, Danjela Stojić, Anđela Svrkota, Igor Petrović, Ana Marjanović, Saša Bernik, Slavko Abstract: As part of research on the influence of selenium as dopant on bismuth telluride, a successful synthesis of single crystal was carried out. Single crystal of p type conductivity, with the given compound formula, Bi2Te2.88Se0.12, was obtained by the Bridgman process. The obtained empirical formula does not deviate from the given compound formula. Single crystal was characterized by Hall Effect system based on the Van der Pauw method. Also, bulk sample was characterized by Seebeck coefficient (S), thermal conductivity (κ) and electrical resistivity (ρ) measurements, as а function of temperature in the range of 40 - 320°C by а home made impedance meter. The prepared single crystal has a figure of merit (Z) of 2.16 x 10-3 K-1 at 40°C. Values of ZT are about 1.0 at 27°C for commercialized p and n type of bismuth telluride ingots. T is absolute temperature. Садржај: У оквиру истраживања утицаја селена као допанта на бизмут телурид, извршена је успешна синтеза монокристала. Монокристал п типа проводљивости, са датом формулом једињења, Bi2Te2.88Se0.12, добијен је Бриџмановим поступком. Добијена емпиријска формула није одступала од дате формуле једињења. Монокристал је окарактерисан системом Холовог ефекта заснованом на Ван дер Пауовој методи. Такође, масовни узорак је окарактерисан Зебековим коефицијентом (S), мерењима топлотне проводљивости (κ) и електричне отпорности (ρ) у функцији температуре у опсегу од 40 - 320°C мерачем импедансе домаће израде. Припремљени монокристал има висок фактор квалитета (Z) од 2.16 x 10-3 К-1 на 40°C. За комерцијализоване инготе бизмут телурида п и н типа вредности ZT су око 1.0 на 27°C. Т је апсолутна температура.